| Date | 25/01/21 16:55:15 |
| Name | 쮸물 |
| Subject | '사상 초유' 삼성전자, 5세대 D램(D1b) 전면 재설계 |
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https://n.news.naver.com/article/030/0003278074 삼성전자, 5세대 D램(D1b) 설계 변경 추진 12㎚급 상용화 가장 최신 제품 성능·수율 개선 위한 특단 조치 HBM 대응 주목 삼성전자가 10나노급 5세대 D램(D1b) 설계 변경에 착수한 것으로 파악됐다. D1b는 지금까지 상용화된 D램 중 가장 최신인 제품 https://n.news.naver.com/article/030/0003278074 | 12㎚급 상용화 가장 최신 제품 | HBM 적용…성능·수율 어려움 | 시장 신뢰 회복 위해 특단 조치 삼성전자가 10나노급 5세대 D램(D1b) 재설계에 착수했다. D1b는 지금까지 상용화된 D램 중 가장 최신인 제품(셀)으로, 성능과 수율 확보에 어려움을 겪어 원점 재개발이라는 특단의 조치를 내렸다. __________ 황형이 새로 설계해야 한다고 하더니만.. 진짜 하네요 암튼 모르겠고.. 삼전아 화이팅 (내 주식 ㅠㅠ) 1
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젠슨 황이 새로 재설계해야 한다고 말했던 건 HBM이고, 이건 10나노 5세대급 (D1b)의 재설계 (revision) 입니다. HBM의 Core Die로 사용되는 칩 이야기입니다.
어찌되었든 좋은 소식은 아닌 것 같습니다. 과연 어디까지 선폭을 줄일수 있을 것인가는 항상 논쟁거리였고, 이제 물리적 한계에 근접한것 아니냐는 이야기들이 있었고, 그래서 gate all-around (GAA)로 넘어가는 단계에 있기도 하니까 애초에 기술적으로 쉬운 지점이 아닌 걸로 알고 있습니다.
Gaa는 파운드리, 3나노 2나노 이쪽 얘기구요.
D1b는 10나노 5세대니까 finfet이고 앞으로도 finfet일 겁니다.
기술적으로 한계에 도달한 게 아니라 개발 단계에서 경쟁사보다 성능이 밀렸는데도 그냥 spec에 맞춰서 출시했다가 프리미엄급 성능 안나오니까 다시 만들겠다는 겁니다.
D1b는 10나노 5세대니까 finfet이고 앞으로도 finfet일 겁니다.
기술적으로 한계에 도달한 게 아니라 개발 단계에서 경쟁사보다 성능이 밀렸는데도 그냥 spec에 맞춰서 출시했다가 프리미엄급 성능 안나오니까 다시 만들겠다는 겁니다.
원래 엔비디아 납품에 쓰려고 했던 코어 다이는 d1a급입니다. 여기도 리비전 기사를 본 것 같은데 아마 hbm문제로 리비전 하는 것 같습니다. 그렇다면 한참 남긴 했겠죠..
여기서 한참이라 하면 좀 모호할 수 있는데, 아직도 개발이 안된 칩(6세대)만큼 오래 걸리지는 않을겁니다. (추측) 근데 새로운 설계 타겟값을 찾고 맞춘다? 에 가까울 듯 합니다 (자세히 설명 못드리는 점 양해를...)
여기서 한참이라 하면 좀 모호할 수 있는데, 아직도 개발이 안된 칩(6세대)만큼 오래 걸리지는 않을겁니다. (추측) 근데 새로운 설계 타겟값을 찾고 맞춘다? 에 가까울 듯 합니다 (자세히 설명 못드리는 점 양해를...)
아아 원래는 d이후에 나노를 붙이다가 10나노대로 들어오면서 1x, 1y 이런 식으로 코드명이 생기기 시작했습니다.
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